IGBT并聯(lián)技術一-IGBT均流問題

• 影響靜態(tài)均流的因素

1、并聯(lián)IGBT的直流母線側連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；
2、IGBT芯片的Vce(sat)和二極管芯片的V_F的差異，因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。
3、IGBT模塊所處的溫度差異，設計機械結構及風道時需要考慮；
4、IGBT模塊所處的磁場差異；
5、柵極電壓Vge的差異。

• 影響動態(tài)均流的因素

1、IGBT模塊的開通門檻電壓VGEth的差異，VGEth越高，IGBT開通時刻越晚，不同模塊會有差異；
2、每個并聯(lián)的IGBT模塊的直流母線雜散電感L的差異；
3、門極電壓Vge的差異；
4、門極回路中的雜散電感量的差異；
5、IGBT模塊所處溫度的差異；
6、IGBT模塊所處的磁場的差異。

• IGBT芯片溫度對均流的影響

IGBT芯片的溫度對于動態(tài)均流性能和靜態(tài)均流性能影響很大：

1、由于IGBT的Vcesat的正溫度系數(shù)特性，使溫度高的芯片的Vcesat更高，會分得較少的電流，因此形成了一個負反饋，使靜態(tài)均流趨于收斂；
2、根據(jù)我們的經(jīng)驗，我們發(fā)現(xiàn)，芯片溫度變高后，動態(tài)均流的性能也會變好；例如在測試動態(tài)均流時，我們會使用雙脈沖測試方法，但這時芯片是處于冷態(tài)的，當把機器跑起來后，動態(tài)均流會改善。

• IGBT芯片所處的磁場對均流的影響

IGBT模塊附近如果有強磁場，則模塊的均流會受到影響。

1、如果兩個IGBT模塊并聯(lián)且并列安裝，如果交流排的輸出電纜在擺放時靠近其中某一個IGBT模塊而遠離另外一個，則均流性能就會出問題；
2、以上現(xiàn)象的原因是某個大電流在導線上流動時會產(chǎn)生磁場，對磁場內(nèi)的其他導通的電流產(chǎn)生“擠出”或“吸引”的效應；

因此，在結構設計時，需要注意交流排出線的走線形式，以免發(fā)生磁場的干涉現(xiàn)象。